中低压功率MOSFET一般有SGT和Trench两种工艺，SEM结构图如下:
Trench结构
上下结构SGT-IPO工艺 上下结构SGT-HDP工艺
从结构设计原理上面，我们都知道SGT结构的产品可以做到更低的Rsp和FOM因子，可以把Trench结构的三角形电场变成梯形电场，这样就可以用Trench结构更低外延条件实现SGT更高的耐压和更低的导通电阻，同时极大的降低弥勒电容。
Trench-三角形电场 SGT-梯形电场
那我们如何从Datasheet上面一眼可以看出这款中低压功率MOSFET是SGT还是Trench呢?
我们以英飞凌最新OptiMOSTM6IAUA250N04S6的Datasheet为例:
英飞凌StrongFET系列IRFB7434PbF为例：
IRFB7434PbF 的Ciss/Crss=10820/1140=9.49
祥瑞微的CRMG系列CRMTGH1002A TOLL封装这款产品为例：
CRMTGH1002A的Ciss/Crss=10123/77=131.46
我们有一个经验公式:
当Ciss/Crss的比例在30倍以上的时候，该产品是SGT工艺结构;
当Ciss/Crss的比例在15倍以下的时候，该中低压产品一般是Trench工艺结构;
当Ciss/Crss的比例在15~30倍之间的时候，这个时候就要结合器件具体的结构来判断，因为Trench结构的产品采用一些特殊的工艺，比如底部厚栅氧，也可以极大的降低弥勒电容Crss，来实现较大的Ciss/Crss比值；同时SGT结构的产品如果采用较老的工艺，隔离层氧化层和分离栅的长度较短的时候，弥勒电容Crss也会比较大，这时候也会拉低Ciss/Crss的比值。
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