祥瑞微国产半导体助力GB 20943电源能效标准升级

      2024年819日,全国能源基础与管理标准化技术委员会在浙江绍兴召开GB 20943《交流-直流和交流-交流电源能效限定值及能效等级》强制性国家标准讨论会。来自开关电源制造、功率芯片半导体器件、终端应用上下游企业代表、专家近50人参加了会议。



      牵头起草单位中国标准化研究院专家陈老师对该标准背景、修订过程、国外情况、修订内容、主要技术指标确定依据、社会经济效益等进行了说明。该标准计划项目号为:20221487-Q-469,由国家标准化管理委员会提出并归口。



      承办单位无锡祥瑞微电子科技有限公司周祥瑞对会务工作进行汇报,并介绍公司产品情况,功率半导体MOSFET技术平台、硅基产品技术路线图、中低压MOSFET技术趋势、SGT MOSFET技术行业现状、SGT MOSFET竞争力。新一代屏蔽栅功率 MOSFET 技术能大幅降低传导和开关损耗,明显提升系统效率。


      与会代表对标准能效等级技术指标平均效率、空载功耗、功率因素进行热烈讨论,功率半导体导通电阻Rds(on)可以显著降低器件损耗提升电源产品转换效率,降低发热,提升产品可靠性。该标准将电源产品能效分为3个等级,其中3级为强制要求,1级为最高等级。

      据了解,该标准发布实施后牵引电源产品更新换代,可拉动芯片及半导体需求235亿,促进电源行业高质量发展,将极大助力我国碳达峰碳中和目标实现。


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