无锡祥瑞微电子科技有限公司-无锡祥瑞微电子科技有限公司

概述

通过工艺与器件结构优化，祥瑞微未来能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了巧妙权衡，能够大幅度提高系统效率。同时，该系列产品具备良好稳定的短路能力，出色的低电磁干扰特性，可靠的开关速度控制力，为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。
新一代第七代微沟槽场截止技术IGBT产品采用先进的微沟槽技术大幅提高器件元胞结构密度，Cell ptich可缩小到1.2um,还采用了优化的载流子存储设计、多梯度背面缓冲层设计以及超薄漂移区工艺技术，同时采用自对准工艺技术，大幅提升器件电流密度和器件的可靠性。

应用

产品列表

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Product Name	Product status	Package	Configuration	Chip Technology	V_(BR)CES (V)	I_C (A)	Vth (V)	Vcesat Typ. (V)	V_F (V)	MPQ (pcs)	MOQ (pcs)